Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb1-xSnxSe2 - Белецкий, В. И.; Гавренко, О. А.; Мерисов, Б. А.; Оболенский, М. А.; Сологубенко, А. В.; Хаджай, Г. Я.; Чашка, Х. Б. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1998)
Экспериментально исследована теплопроводность lambda (x = 0; 0,15; 0,3; 0,6; T=2-200K ) и электросопротивления rho(0 < or = x < or = 0,5; T = 6-300 K) слоистых кристаллов Nb1-xSnxSe2 в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей rho(T). Отсутствие такого роста lambda (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости rho (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей lambda (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты.