Генерация неравновесных фононов в висмуте в квантующем магнитном поле: Электpонные свойства металлов и сплавов - Богод, Ю. А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 1999)
В сильных скрещенных электрическом Е и магнитном Н полях, в режиме генерации фононов, исследовалось напряжение монокристалла Bi в направлении |E´H| (поперечное напряжение E^). Получена информация об электронной акустоэдс висмута Eea, формирующей на вольт-амперных j-E^ характеристиках участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Акустоэдс измерялась как абсолютная величина разности поперечных напряжений до и после перехода образца в режим генерации фононов. Обнаружено, что зависимость акустоэдс от квантующего магнитного поля немонотонна. Это связывается с осцилляциями в магнитном поле скорости электрон-фононной генерации ¶Nq/¶t, т.е. с осцилляциями частоты фонон-электронных столкновений tpl-1.