Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников. III. Экспериментальное изучение анизотропии полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d - Финкель, В. А.; Деревянко, В. В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Изучена зависимость критических токов Ic текстурированных образцов ВТСП YBa2Cu3O7-d (T = 77,3 К) от напряженности предварительно приложенного внешнего магнитного поля Hext при различных углах между направлением поля и исследуемым образцом. На основе полученной угловой зависимости Ic(H) с помощью развитой в работе методики определены значения нижних критических полей Hc1 ВТСП YBa2Cu3O7-d в направлении главной оси орторомбической решетки Hc1ab = 89 Э и в перпендикуляром направлении Hc1c = 383 Э; отношение эффективных масс электрона mc/mab=18,5.