Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП - Сергеева, Г. Г. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления rc(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T* (T*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T£Tc0 , где Tc0 - температура двумерного сверхпроводящего перехода в теории среднего поля, появление в медь-кислородной плоскости областей с сильными сверхпроводящими флуктуациями приводит к существенной температурной зависимости вероятности туннелирования заряда tc(T) вдоль оси ĉ в нормальном состоянии.