Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов - Гончарук, Н. А.; Тарасова, Е. И. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокристаллах Ar, Kr, Xe. Представлены результаты численного расчета кривых энергетической зависимости затухания Г(E,T=const ) пpи нескольких температурах во всей области существования свободных экситонов каждого кристалла. Получены аналитические выражения для Г(Е,Т) при T=0 и при T > 2·ks. Сравнение с данными численного pасчета приводит к выводу о спpаведливости линейной температурной зависимости Г(E = const,T) в широком диапазоне температур, за исключением очень низких. Показано, что при температуре выше критической существует область энергий в окрестности ET , в котоpой преобладают процессы с поглощением фононов, препятствующие релаксации поляритонов вниз по дисперсионной кривой. Ширина этого участка сравнима с максимальной энергией фононов и увеличивается с pостом температуры.