Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах: Электpонные свойства металлов и сплавов - Комник, Ю. Ф.; Андриевский, В. В.; Беркутов, И. Б.; Крячко, С. С.; Миронов, М.; Волл, Т. E. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: tj= 6,6╥10 -12 T -1 c.Зависимость tjµT -1 следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействияl 0C ≃ 0,5.