Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2 Si2 - Гаджиев, Б. Р. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2000)
В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr2 Si2 пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr2 Si2 описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности.