Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2 - Абдуллаев, Н. А.; Мамедов, Т. Г.; Сулейманов, Р. А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2001)
Приведены данные экспериментальных исследований теплового расширения слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в плоскости слоев и в перпендикулярном слоям направлении в области температур 20-300 К. Обнаруженные особенности теплового расширения обсуждаются в свете имеющихсяданных об упругих свойствах TlGaSe2 и TlInS2. Выявлено, что отличия в температурном поведении коэффициентов теплового расширения в плоскости слоев a||(T) в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2 обусловлены различной степенью анизотропии этих кристаллов, а также разной величиной "межслоевой" упругой постоянной C13.