Магнитополевые и температурные зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных пленках высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d - Федотов, Ю.В.; Рябченко, С.М.; Пашицкий, Э.А.; Семенов, А.В.; Вакарюк, В.И.; Пан, В.М.; Флис, В.С. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Исследованы магнитополевые (в поле H, приложенном вдоль нормали к плоскости пленки z )и температурные зависимости плотности крити ческого тока jc в высокока чественных эпитаксиальных биаксиально ориентированных пленках YBa2Cu3O7-d с максимальным значением jc, достигающим 2×106 A/см2 в нулевом магнитном поле при T=77 K. Найдено,что величина jc (Hz, T), не зависящая от Hz в области слабых полей Hz < Hm, при Hz > Hm хорошо аппроксимируется зависимостью jc (Hz, T )/jc (0,T)=aln (H*/Hz)в достаточно широкой области 0,95 >jc (Hz, T)/jc (0,T)>0,3. Величина H*=Hme1/a пропорциональна t=1-T/Tc,как минимум,в области температур,для которой проведены измерения,а параметр a почти не зависит от температуры.При этом для образца с наибольшим значением плотности критического тока при Hz ® 0 обнаружен аномально резкий переход от низкополевого плато к логарифмической зависимости. Проведен анализ ряда опубликованных в литературе данных по зависимостям jc (Hz, T)в тонких эпитаксиальных ВТСП пленках и показано, что аппроксимация данного вида применима также к результатам других авторов. При этом, хотя сами величины jc(H=0,t), так же как и значения H*, существенно различаются для пленок, исследованных разными авторами, величины a при аппроксимации их результатов логарифмической зависимостью оказываются весьма близкими друг к другу и к найденным в наших исследованиях. Предложена модель, качественно поясняющая природу обнаруженной зависимости jc (Hz,T), и обсуждены ее основные свойства. Показано, что зависимость, которая хорошо аппроксимируется логарифмической, отвечает механизму, связанному с депиннингом ансамбля вихрей Абрикосова, запиннингованного на краевых дислокациях в малоугловых межблочных границах, которые существуют в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП. Резкий переход от плато к логарифмическому участку реализуется, если при H»Hm происходит смена механизма, определяющего плотность критического тока, а именно в том случае, когда при H < Hm прозрачность межблочных границ для сверхпроводящего тока ограничивает величину jc сильнее, чем депиннинг вихрей в слабых полях.