Возможность образования и обратимой перестройки равновесной доменной структуры в антиферромагнетиках: Магнетизм - Гомонай, Е. В.; Локтев, В. М. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Показано, что магнитоупругое взаимодействие может играть существенную роль в формированииравновесной доменной структуры в антиферромагнетиках, имеющих два и более эквивалентных легких направления оси магнитной анизотропии. В рамках феноменологической модели с использованием методов нелинейной теории упругостипродемонстрировано, что поверхность кристалла может служить и служит источником фиктивных "упругих зарядов" несовместности, следствие которых аналогично следствиюсуществования магнитостатических зарядов, возникающих на поверхности ферромагнитных кристаллов и приводящих к образованию доменов. При этом поверхность кристалла рассматривается как особая фаза со своими магнитными, упругими и магнитоупругими свойствами. Поле "упругих зарядов" является дальнодействующим и, соответственно, дает пропорциональный объему, а не площади поверхности образца вклад в энергию "раздвойникования", которая играет основную роль в формировании равновесной доменной структуры. Возникновение последней есть нe что иное, как восстановление исходной глобальной симметрии кристалла в тех случаях, когда фазовое превращение, идущее с ее спонтанным нарушением, описывается параметром порядка, который сопряжен со сдвиговой деформацией. Условия отсутствия "упругих зарядов" внутри образца накладывают определенные ограничения на морфологию магнитоупругой доменной структуры в антиферромагнетиках.Обсуждается влияние дисклинаций, возникающих в месте стыка трех иболее доменов, на характер равновесного состояния кристалла.