Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП YBa2Cu3O7-x, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ - Федотов, Ю. В.; Данильченко, Б. А.; Рогуцкий, И. С. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Исследованы радиационные эффекты в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП YBa2Cu3O7-x, облученных малыми дозами электронов c энергией 1 МэВ. Максимальная доза облучения (4×1016 электронов/см2) выбрана из условия, чтобы уменьшением критической температуры YBa2Cu3O7-x, обусловленным дефектами, образованными врезультате электронно-ядерных столкновений, можно было пренебречь. При выполнении этого условия основным источником радиационных эффектов в пленках ВТСП могут быть процессы, связанные с возбуждением электронной подсистемы YBa2Cu3O7-x. При облучении пленок YBa2Cu3O7-x дозами (1-4)×1016 электронов/см2 наблюдалось повышение их критической температуры Тс (в противоположность описанному в литературе уменьшению Тс при облучении дозами, большими 1018 электронов/см2), которая с течением времени после облучения релаксировала к своему исходному значению. Подобные эффекты аналогичны явлениям, наблюдавшимся при фотовозбуджении электронной подсистемы YBa2Cu3O7-x(фотостимулированная сверхпроводимость). Наблюдалось также понижение плотности критического тока в облученных пленках YBa2Cu3O7-x, которое связанос радиационными изменениями прозрачности дислокационных стенок в малоугловых межблочных границах для сверхпроводящего тока.