Упруго-деформационные механизмы влияния температуры, магнитного поля и давления на резистивные и магнитные свойства магнитных полупроводников - Поляков, П. И.; Кучеренко, С. С. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Проведен анализ результатов исследований изменения удельного сопротивления объемногополикристаллического образца La0,56Ca0,24Mn1,2O3 под влиянием температуры (Т), давления (Р) и магнитного поля (Н) и изменения магнитострикции в монокристаллическом LaMnO3 в зависимости от Т и Н. Установлено, что пики магнито-, баро- и баромагниторезистивного эффектов имеют одинаковую температуру, которая не зависит от магнитногополя и давления и соответствует температуре Tms фазового перехода металл-полупроводник в отсутствие магнитного поля и давления. Обнаружены "охлаждающий" и "нагревающий" эффекты давления и магнитного поля и эквивалентное соответствие влияния Т, Р и Н на удельное сопротивление поликристаллического образца и Т и Н на магнитострикцию монокристалла LaMnO3. Показана линейность смещения пиковTms(P) и Tms(Н) в резистивных свойствах La0,56Ca0,24Mn1,2O3, а также Hg(T) в магнитных свойствах на примере изменения гистерезиса магнитострикции в монокристаллеLaMnO3. Выявлена и объяснена роль закономерностей упруго-деформирующего механизмадействия Т, Р и Н на магнитные, резистивные свойства и фазовые состояния. Установленазнакопеременность влияния Т, Р и Н и ее роль в изменении резистивных и магнитныхсвойств (магнитных фазовых переходов). Обоснована связь структурных, упругих, резистивныхи магнитных свойств в магнитных полупроводниках.