Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках - Копелиович, А. И.; Мамалуй, А. А.; Петренко, Л. Г.; Шелест, Т. Н. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Предложено объяснение большого отклонения от правила Маттиссена, наблюдающегося экспериментально в квазиодномерном металле NbSe3, поверхность Ферми которого содержит несколько изолированных друг от друга листов. Отклонение от правила Маттиcсена возникает в результате неаддитивного влияния на функцию распределенияэлектронов процессов рассеяния электронов на дефектах решетки (вакансиях Se) и фононах. Показано, что полученные экспериментально температурные зависимости удельногоэлектросопротивления NbSe3 могут быть удовлетворительно описаны в рамкахупрощенной модели одномерной поверхности Ферми, представляющей собой две пары симметричных точек в пространстве квазиимпульсов. Большие отклонения от правилаМаттисcена можно объяснить различным характером рассеяния электронов, локализованных на разных структурных цепочках квазиодномерного металла, на дефектах решетки и на фононах.