Магнитоперенос в квазиодномерной электронной системе над сверхтекучим гелием - Николаенко, В. А.; Ковдря, Ю. З.; Гладченко, С. П. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2002)
Экспериментально исследован магнитоперенос в невырожденной квазиодномерной электроннойсистеме над сверхтекучим гелием. Измерения проведены в перпендикулярных магнитных полях В£ 2,6 Тл в температурном интервале 0,48-2,05 К при ширине проводящих каналов 100-400 нм. Как в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре (Т > 0,9 К), так и в области рассеяния электронов на риплонах (T < 0,9 К) продольная компонентамагнитосопротивления rxx проводящих каналов преимущественно увеличивается с ростом В. Экспериментальные данные в области рассеяния носителей на атомах гелия в паре согласуются с классическим законом Друде, а в квантовом режиме переноса при wct >1 (wc -циклотронная частота, t - время релаксации электронной системы) качественно описываются теорией самосогласованного борновского приближения для 2D электронной системы над гелием. Предполагается, что количественные различия экспериментальных и теоретических данных связаны с различием специфик исследуемой и теоретически анализируемой систем. Экспериментальные значения подвижностей электронов при низких температурах и малых магнитных полях совпадают с теоретическим расчетом, выполненным для квазиодномерной системы. Отрицательное магнитосопротивление проводящих каналов, котороенаблюдали в области как газового, так и риплонного рассеяния носителей, объясняется слабой локализацией носителей в исследуемой электронной системе.