Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si0,2Ge0,8 - Андриевский, В.В.; Рожещенко, А.Ю.; Комник, Ю.Ф.; Миронов, М.; Миронов, О.А.; Волл, Т.Е. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2003)
Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры Si0,7Ge0,3/Si0,2Ge0,8/Si0,7Ge0,3 с 2D дырочным газом в квантовой яме Si0,2Ge0,8 в интервале температур 0,335-10 К и при изменении токов от 100 нА до 50 мкA. В области сильных магнитных полей наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза, а в области слабых полей при H ≤ 1 кЭ - положительное магнитосопротивление, переходящее при увеличении поля в отрицательное магнитосопротивление. Эта особенность объясняется эффектами слабой локализации 2D носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния tso и времени неупругого рассеяния tj и свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). Анализ эффектов слабой локализации дал значения характерных времен релаксации tj = 7,2T-1×10-12 с, tso = 1,36·10-12 с. Из последней характеристики для изученной гетероструктуры определена величина спинового расщепления D = 2,97 мэВ.