Движение пробной наночастицы в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной - Левченко, А.А.; Межов-Деглин, Л.П.; Трусов, А.Б. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2003)
Температурная зависимость коэффициента диффузии пробной частицы Dp(T) диаметром dp несколько нанометров, которая перемещается в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной Qv << Tmelt за счет взаимодействия с тепловыми вакансиями, существенно изменяется с понижением температуры в области Tmelt≥Ttr≥Qv, где происходит переход от классического термоактивированного перескока вакансий к зонному движению делокализованных вакансионов. Более того, в переходной области T»Ttr коэффициент диффузии пробной частицы в вязком газе вакансионов может возрастать, если эффективная длина свободного пробега вакансионов мала по сравнению с диаметром частицы lv << dp и увеличивается с понижениемтемпературы быстрее, чем уменьшается концентрация тепловых вакансийx xv~exp(-Ev/T). При T << Ttr в разреженном газе вакансионов, где lv >> dp, коэффициент диффузии частицы Dp(T)~xvSvp убывает пропорционально xv, если сечение неупругого рассеяния вакансиона напробной частице Svp слабо зависит от температуры. Развитая модель может быть применена для описания диффузии положительных зарядов в кристаллах ГПУ 4Не, выращенных при давлениях выше минимального давления затвердевания гелия, и отрицательных зарядов в кристаллах параводорода.