Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона - Белов, А.Г.; Тарасова, Е.И.; Юртаева, Е.М. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2003)
Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучениякристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнениепараметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe2+* и примесных центров Хе2О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона.Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниямимолекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зонепроводимости в области энергий вблизи 10 эВ.