Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB2 в диапазоне частот 0-110 МГц и интервале температур 5-300 К - Дмитриев, В.М.; Падерно, Ю.Б.; Ляшенко, В.И.; Быков, А.И.; Терехов, А.В.; Стржемечный, М.А.; Прохватилов, А.И.; Ищенко, Л.А.; Гальцов, Н.Н.; Баумер, В.Н.; Пренцлау, Н.Н.; Падерно, В.Н. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
В интервале температур 5-300 К определены структура и удельное электросопротивление поликристаллического MgB2. В этом же интервале температур исследован его импеданс для частот 9-110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия сверхпроводящей фазы MgB2 остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящегоперехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной ичастотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянииобнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Тc к лондоновскому локальномупределу вблизи Тc. При Т/Тc < 0,76 величина Rs (Т) хорошо описывается экспоненциальной зависимостью exp (-D(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ.