Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La0,66Mn1,23V(c)0,11O2-2,84V(a)0,16 - Пащенко, В.П.; Kakazei, G.; Шемяков, А.А.; Пащенко, А.В.; Цымбал, Л.Т.; Дьяконов, В.П.; Szymczak, H.; Santos, J.A.M.; Sousa, J.B. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследованийкерамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La0,7Mn1,3O3 с "избыточным" марганцем установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные, анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn и 139La керамики свидетельствуют о высокочастотномэлектронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности имезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Разли-чия температур фазовых переходов металл-полупроводник и энергии активации керамики и пленокобъяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно,концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффекткерамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалиясопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров.