Эффект Яна-Теллера в квазидвумерных допированных купратных антиферромагнетиках и недостаточно допированных ВТСП (Обзор): - Сергеева, Г.Г.; Сорока, А.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
Проанализированы теоретические аспекты исследования роли ян-теллеровских взаимодействийв квазидвумерных купратных антиферромагнетиках и ВТСП. Проведен анализ результатов,которые позволяют установить связь между квазидвумерным характером свойств недостаточно допированных (НД) купратных ВТСП в нормальном и сверхпроводящем состояниях иян-теллеровской (ЯТ) природой двухвалентных ионов меди. Показано, что сочетание этих двух особенностей приводит к существованию псевдощелевого состояния. В НД купратных ВТСП с ян-теллеровскими искажениями решетки квазидвумерность приводит к появлению двумерных локальных и квазилокальных состояний носителей заряда. Это проявляется в существеннойзависимости от температуры числа компонент локализованных и делокализованных состояний носителей заряда и в неоднократной динамической редукции размерности купратныхНД ВТСП при понижении температуры. Такой ВТСП с концентраций допированияменьше оптимальной в большей части фазовой диаграммы как в нормальном, так и в сверхпроводящем состояниях находится в квазидвумерном состоянии. Это означает, что сверхпроводящее состояние НД купратных ВТСП отличается от БКШ состояния и по своим свойствам ближе к состоянию двумерного сверхпроводника Березинского-Костерлица-Таулесса без дальнегопорядка (ODLRO). Показано, что различие прежде всего состоит в механизме сверхпроводимости.Несмотря на то, что сильное ЯТ электрон-фононное взаимодействие в НД купратныхВТСП играет ключевую роль и приводит к образованию двухузельных ЯТ поляронов, но притяжение между дырками и такими поляронами и образование сверхтекучего двухузельного ЯТполярона с антиферромагнитным кором обусловлено компенсацией кулоновского отталкиванияполяронным сдвигом энергии. Обсуждается предположение, что в передопированных купратных ВТСП сверхпроводящее состояние является следствием установления ODLRO в трехмерной модели БКШ с несохраняющимся полным числом носителей заряда и отличными отнуля квантовыми флуктуациями числа носителей заряда.