Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы - Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В.; Кузнецов, О.А.; Пономаренко, Л.; Виссер, А. де (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge1-xSix) с проводимостью s ≈ e2/h при низких температурах (T ≈ 1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (ds/dT > 0) к "металлическому" (ds/dT < 0) поведению в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление(ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС сподавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействиямагнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.