Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы - Двуреченский, А.В.; Никифоров, А.И.; Пчеляков, О.П.; Тийс, С.А.; Якимов, А.И. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических иоптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных "атомов") с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры.Проведен краткий анализ современного состояния представлений о механизмах начальной стадии самоформирования и упорядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитаксии Ge на Si. Основными факторами, определяющими спектр состояний, служат размерное квантованиеи кулоновское взаимодействие носителей. Показано, что новым фактором, возникающим в массивеквантовых точек (КТ) и отличающим его от ситуации одиночной КТ, являются кулоновские корреляции между островками. Определены скорости испускания, сечения захвата дырок в зависимости от глубины залегания энергетических уровней. Величины сечений на несколько порядков превышают известные значения в Si. Электронный транспорт вдоль слоев КТ осуществляется с помощью прыжковой проводимости, величина которой осциллирует при изменениистепени заполнения островков дырками, что может лечь в основу создания электронных цепейпередачи информации на КТ. Показана возможность создания перестраиваемого под ближнийи средний ИК диапазон фотодетектора с Ge квантовыми точками.