Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл в тонких пленках Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3 - Aleshkevych, P.; Baran, M.; Бедарев, В.А.; Гапон, В.И.; Горбенко, О.Ю.; Гнатченко, С.Л.; Кауль, А.Р.; Szymczak, R.; Szymczak, H. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2004)
Исследовано влияние светового облучения на магнитные и транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок манганита Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3. Обнаружено, что облучение пленок светом He-Ne лазера приводит к увеличению их намагниченности и уменьшению электрического сопротивления, стимулируя фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл, наблюдаемый в этом кристалле в магнитном поле при низких температурах. Показано, что поле фазового перехода заметно уменьшается после облучения пленок светом. Сделан вывод о том, что световое облучение вызывает образование и рост ферромагнитных металлическихкластеров внутри антиферромагнитной диэлектрической фазы. Механизм воздействия света на магнитное и электрическое состояния манганита Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3 может быть связан сфотоиндуцированным переносом электронов с ионов Mn3+ на ионы Mn4+, что приводит к плавлению зарядового упорядочения, имеющего место в исследуемом манганите в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии, и вызывает переход кристалла в ферромагнитную металлическуюфазу.