Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины: Электpонные свойства металлов и сплавов - Комник, Ю.Ф.; Беркутов, И.Б.; Андриевский, В.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2005)
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния tso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов tj (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста tso при увеличениитолщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеянияэлектронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциалавблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновойщели (механизм Рашбы).