Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB2 - Фисун, В.В.; Трипутень, Л.Ю.; Янсон, И.К. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2005)
Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперныххарактеристик гетероконтактов между пленкой MgB2 и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном ( T ≥ Tc ) и сверхпроводящем ( T< Tc ) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20-30 мВ в виде широкого пика или размытого излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB2. В сверхпроводящем состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низко частотного пика.