Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs в наклонных магнитных полях: Электронные свойства низкоразмерных систем - Якунин, М.В.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Звонков, Б.Н.; Ускова, Е.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Прецизионное сканирование плоскости (B^, B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2)при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энергетическим спектром ДКЯ, на фоне структур, связанных смагнитным пробоем. Траектории, описывающие особенности МС на плоскости (B^, B||), удаетсяполуколичественно описать на основе квазиклассических расчетов квантования энергетического спектра ДКЯ под действием перпендикулярной компоненты поля. Пики, обусловленные магнитным пробоем, усиливаются с ростом полной величины магнитного поля. Наблюдаютсяих спиновые расщепления, отвечающие эффективной величине фактора Ланде |g*| ≈ 3.