Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами: Электронные свойства низкоразмерных систем - Арапов, Ю.Г.; Звонков, Б.Н.; Подгорных, С.М.; Шелушинина, Н.Г.; Харус, Г.И.; Неверов, В.Н.; Карсканов, И.В.; Гудина, С.В.; Якунин, М.В.; Ускова, Е.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
В двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2 ) температурные зависимости продольного сопротивления rxx (Т) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл-диэлектрик В = 0 имеют "диэлектрический" характер винтервале температур T = 1,8-70 К (kBTt / ħ = 0,2-3,8). Аномальная температурная зависимость sху (В, Т) в области wс t = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях.