Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы - Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шабашова, О.А.; Мельникова, Н.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (x = 0,1–0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов.