Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La0,6Sr0,2Mn1,2-xFexO3±d - Пащенко, В.П.; Шемяков, А.А.; Пащенко, А.В.; Прокопенко, В.К.; Ревенко, Ю.Ф.; Турченко, В.А.; Варюхин, В.Н.; Дьяконов, В.П.; Шимчак, Г. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР 55Mn методами исследованы керамическиемагниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La0,6Sr0,2Mn1,2-xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05;0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазовых переходов металл-полупроводник Tms и Кюри ТС, к увеличению пика магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах, при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР 55Mn, резонансная частота которого с увеличением x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочныйобмен между ионами Mn3+ и Mn4+ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии, но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен изменением доли низкоспинового Mn2+ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличениеэнергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными ионами марганца в В-позициях.