Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера - Заскалько, В.В.; Максимов, И.Л.; Водолазов, Д.Ю. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Исследованы резистивные характеристики бездефектных сверхпроводников второго рода с краевым барьером. Анализ проведен на основе модельной системы, представляющей собой бесконечнодлинную полоску конечной ширины W и толщины d << W. Численное решение уравнений Максвелла-Лондона, рассматриваемых в рамках гидродинамического описания, позволяет рассчитать вольтамперныехарактеристики и магнитосопротивление образца (МС) R(H). Обнаружено, что положительное МС (dR/dH >0), имеющее место в области низких значений транспортного тока I < I* (I* - ток перехода), изменяет знак: dR/dH < 0 при I > I* . Эффект смены знака МС объясняется изменениемдоминирующего механизма диссипации энергии в пленке (т.е. переходом от вязких потерь к аннигиляционным).Показано, что наличие слабого пиннинга магнитного потока не приводит к изменению поведения R(H).