Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям - Вайнберг, В.В.; Гуденко, Ю.Н.; Порошин, В.Н.; Tулупенко, В.Н.; Cheng, H.H.; Yang, Z.P.; Mashanov, V.; Wang, K.Y. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктурSi/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается.