Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si - Хижный, В.И. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2007)
Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1-xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии для области температур 4,2-150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительнойвеличины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможнойпьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии.