Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI - Юзефович, О.И.; Михайлов, М.Ю.; Бенгус, C.В.; Аладышкин, А.Ю.; Пестов, Е.Е.; Ноздрин, Ю.Н.; Сипатов, А.Ю.; Бухштаб, Е.И.; Фогель, Н.Я. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2008)
Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойныхполупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс ≤ 6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальномросте. Обнаружено, что Тс и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщинаd, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше,чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля Hc2 двухслойных систем более анизотропны.В области температур, близких к Тс, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D-2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственноот Тс и обнаруживается кроссовер типа 2D-1D с резкой расходимостью Hc2, характерной для сверхпроводящих сеток.