Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла - Арапов, Ю.Г.; Карсканов, И.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2008)
Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температурыи магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон-электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметровтеории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент,поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскуюпроводимость.