Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем - Дмитриев, В.М.; Золочевский, И.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2009)
Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторойкритической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линиипроскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc.