Электронное допирование NbSe2 - Еременко, В.В.; Ибулаев, В.В.; Сиренко, В.А.; Шведун, М.Ю.; Куликов, Л.М.; Петрусенко, Ю.Т.; Борисенко, В.М.; Астахов, А.Н.; Баранков, Д.Ю. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2009)
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe2. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.