Влияние дефектов на квазичастичные спектры графита и графена - Feher, A.; Господарев, И.А.; Гришаев, В.И.; Кравченко, К.В.; Манжелий, Е.В.; Сыркин, Е.С.; Феодосьев, С.Б. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2009)
Показано, что в графите спектральная плотность фононов, поляризованных вдоль оси c, имеет V-образную особенность, аналогичную так называемой дираковской особенности, присущей электронной плотности состояний графена. На примере фононного спектра графита, интеркалированногометаллами, и электронного спектра графена с вакансиями с единых позиций проанализировано формирование квазилокализованных состояний, которые повышают заселенность квазичастичных уровнейвблизи данной особенности. Установлено, что в электронном спектре графена с изолированнойвакансией квазилокализованные состояния присущи только атомам, принадлежащим подрешетке, несодержащей эту вакансию.