Особенности температурных и магнитополевых зависимостей критической плотности тока вблизи критической температуры в тонких пленках YBa2Cu3O7–δ - Ковальчук, Д.Г.; Черноморец, М.П.; Рябченко, С.М.; Пашицкий, Э.А.; Семенов, А.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2009)
Методом динамической магнитной восприимчивости исследована температурная зависимость критической плотности сверхпроводящего тока jc(t) ( t = (1−T/Tc ), Tc — критическая температура) двух тонких эпитаксиальных c -ориентированных пленок YBa2Cu3O7–δ, выращенных на подложках LaAlO3 и SrTiO3. В обоих образцах в области температур от 77 К до Tc зависимость jc(t) имеет два участка со степенными зависимостями jc ~ t3/2 и jc ~ t2 с кроссовером между ними. Проведены измерения температурных зависимостей динамической скорости релаксации Q(t) (крипа магнитного потока), которые оказались несвязанными с наблюдаемыми кроссоверами. Показано, что наблюдаемые особенности jc(t) не обусловлены ограничением плотности критического тока распаривания в междислокационных промежутках межблочных границ тонких эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7–δ, как это предполагалось ранее. На основании численных расчетов показано, что существование кроссоверов и обнаруженного в одном из образцов нарушения H / t -скейлинга( H — постоянное магнитное поле) в магнитополевых зависимостях jc (t, H) вблизи Tc можно объяснить проявлением макроскопической неоднородности образцов по локальным значениям критической температуры Tc (Tc -неоднородность). Отсутствие наблюдаемого нарушения H / t -скейлинга во втором образце объяснено меньшей шириной распределения по Tc в нем по сравнению с первым образцом.