Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> - Мустафаева, С.Н.; Асадов, М.М.; Исмайлов, А.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2010)
Установлено, что при температурах Т < 200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существуетпрыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF = 5,36·1018 – 1,72·1019 эВ–1·см–3), их энергетический разброс (ΔE = 0,028–0,040 эВ), радиус локализации (а = 58 Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav = 99,5–130 Ǻ) в интервале температур 100–200 К.