Сверхпроводимость гранулированных пленок 80NbN-20SiO2 - Юзефович, О.И.; Костельска, Б.; Бенгус, С.В.; Витковска, A. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2010)
Продемонстрирована возможность создания гранулированных сверхпроводящих пленок NbN–SiO2 с контролируемым размером гранул золь-гель методом. Проведено комплексное исследование структурных и транспортных свойств гранулированных пленок 80%NbN–20%SiO2 разной толщины. Установлено, что для наблюдения полного сверхпроводящего перехода образцы должны быть толщиной больше 750 нм. Критические температуры сверхпроводящего перехода и верхние критические магнитные поля для пленок разной толщины примерно равны и составляют 4,5 К и 4,4 Тл соответственно. Обнаруженкроссовер от 2D к 3D поведению температурной зависимости верхнего параллельного критического магнитного поля. Показано, что в области слабых магнитных полей резистивные переходы хорошо описываются законом Аррениуса. Механизмом уширения резистивных переходов в магнитном поле, вероятнее всего, является крип магнитного потока. Получена зависимость энергии активации от магнитного поля. В сильных магнитных полях обнаружены характерные начальные признаки индуцированного магнитным полем фазового перехода сверхпроводник–изолятор.