Положительное квазиклассическое магнитосопротивление и квантовые эффекты в германиевом квантовом канале - Беркутов, И.Б.; Андриевский, В.В.; Комник, Ю.Ф.; Миронов, О.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2010)
Изучено изменение проводимости дырочной гетероструктуры с квантовой ямой из сплава Si0,05Ge0,95 в температурном интервале 0,352–7,1 К в магнитных полях до 11 Тл. Особенностью данного образца было асимметричное допирование: с разных сторон от квантового канала располагались слои Si0,4Ge0,6 с концентрацией примесных атомов бора 2·1018 и 8·1018 см–3. На фоне большого квазиклассического положительного магнитосопротивления наблюдались ярко выраженные осцилляции Шубникова–де Гааза. Изменение с полем монотонного хода магнитосопротивления хорошо описывается функцией вида ρxx(B)/ρxx(0) µB12/7, предсказанной в теории, рассматривающей совместное влияние двух типов беспорядка — близкодействующего и дальнодействующего. В температурном и магнитополевом изменении сопротивления определен вклад квантовых поправок, связанных с эффектами слабой локализации ивзаимодействия носителей заряда. Их анализ выявил сильное спин-орбитальное рассеяние дырок в кван-товой яме. Изучение изменения амплитуды осцилляций Шубникова–де Гааза с температурой и магнитным полем (с учетом монотонного хода сопротивления при изменении магнитного поля) дало возможность определить эффективную массу носителей заряда m* = 0,17m0. Исследование эффекта перегрева носителей заряда электрическим полем позволило найти температурную зависимость времени дырочно-фононной релаксации.