Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия: Теория электронных свойств - Дюгаев, А.М.; Григорьев, П.Д.; Лебедева, Е.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2011)
Определены свойства электронных пузырьков, прижатых силами электростатического изображенияк границе раздела жидкого 3He с насыщенным раствором 4He–3He в области низких температур. Равновесное состояние таких объектов характеризуется энергией связи 6,5 К и осцилляторным спектром первых возбуждений с частотой 0,6·1010 с–1. Смещающее электрическое поле E = 100 В/cм при температуре T = 0,2 К приводит к распаду связанного пузырькового состояния со временем жизни τ ≈ 1 с. Экспериментальное изучение пузырьковых электронных состояний может оказаться полезным для определения свойств границы раздела растворов жидкого гелия.