Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS3 - Пирятинская, В.Г.; Качур, И.С.; Славин, В.В.; Еременко, А.В.; Высочанский, Ю.М. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2012)
Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS3 в диапазоне температур 12–160 К, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы вкристалле MnPS3. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели.