Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами - Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Якунин, М.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2012)
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAsс двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kBT/τtr << 1) и баллистическом (kBT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что вбаллистическом режиме в интервале температур, где kBT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.