Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами - Гудина, С.В.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Якунин, М.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2013)
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в пер-пендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными силь-но связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 Кдо и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителейзаряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.