Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии примесей лантана - Seyidov, МirHasan Yu.; Suleymanov, Rauf A.; Acar, Elif; Одринский, А.П.; Мамедов, Т.Г.; Наджафов, А.И.; Алиева, В.Б. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2014)
Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS2. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS2:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.