Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe - Козлов, Д.А.; Квон, З.Д.; Савченко, М.Л.; Weiss, D.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2014)
Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4∙105 см2/В∙с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствиеналичия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.