Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки - Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Клепикова, А.С.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2014)
Экспериментально исследованы продольное rxx(B,T) и холловское rxy(B,T) магнитосопротивления врежиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночнойквантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИКподсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантовогоэффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.