Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg1–cO - Чурманов, В.Н.; Зацепин, А.Ф.; Ким, Г.А.; Королев, А.В.; Дружинин, А.В.; Бызов, И.В.; Уймин, М.А.; Груздев, Н.Б.; Пустоваров, В.А.; Соколов, В.И.; Кузнецова, Ю.А. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2017)
В оксидах NicMg1–cO (с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8–300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3d-состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов NicMg1–cO обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p-состояниями иона кислорода.