Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ - Aзaренков, Н.A.; Вoeвoдин, В.Н.; Вовк, Р.В.; Хаджай, Г.Я. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2018)
Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 1018 cм−2) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.